SS er definert som:
```
$$ SS =\frac{d V_{gs}}{d \log I_{ds}} $$
```
hvor:
* $$V_{gs}$$ er gate-to-source spenningen
* $$I_{ds}$$ er dren-til-kildestrømmen
SS måles vanligvis i millivolt per tiår. En lavere SS indikerer en mer effektiv MOSFET, da det krever mindre spenningssving for å endre avløpsstrømmen.
SS påvirkes av flere faktorer, inkludert:
* Tykkelsen på portoksidet
* Doping av kilde- og avløpsregionene
* Kanallengden
* Temperaturen
Gateoksidtykkelsen er den viktigste faktoren som påvirker SS. Et tynnere gate-oksid resulterer i en lavere SS. Imidlertid gjør et tynnere gate-oksid også MOSFET mer utsatt for sammenbrudd.
Dopingen av kilde- og avløpsregionene påvirker også SS. En høyere dopingkonsentrasjon gir lavere SS. Imidlertid øker en høyere dopingkonsentrasjon også den parasittiske motstanden til MOSFET, noe som kan forringe ytelsen.
Kanallengden er en annen viktig faktor som påvirker SS. En kortere kanallengde gir lavere SS. En kortere kanallengde gjør imidlertid også MOSFET mer mottakelig for kortkanalseffekter, noe som kan forringe ytelsen.
Temperaturen påvirker også SS. En høyere temperatur gir en høyere SS. Dette er fordi mobiliteten til ladebærerne i MOSFET-en avtar etter hvert som temperaturen øker, noe som gjør det vanskeligere for MOSFET-en å bytte mellom på- og av-tilstandene.
SS er en viktig fortjeneste for MOSFET-er, siden den indikerer hvor effektivt de kan bytte mellom på- og av-tilstander. Ved å optimalisere utformingen av MOSFET, er det mulig å oppnå en lav SS, som kan forbedre ytelsen til MOSFET.